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2018年战略先进电子材料的关键特别项目声明指南
发布时间:2019-09-05 00:18 作者:极速pk10

  为实施“国家中长期科技发展规划纲!要”和“中国制造2025!年”提出的任务。国家重点研发项目启动、了战略先进电子材料的实施。根、据这一关键项目的部署,现在发布了2018年项目申报指南。

  这一关键项目的总体目标是对节能、环保、智能制造、新一代信;息技术领域战略性先进电子材料的迫切需求。、支持中国2025年互联网等。国家重!大战略目标,针对全球技术和工业产业发展的高点,抓住中国过渡的历史发展机遇。第三代半导体材料和半导、体照明新型显示的核心是大功率激光材料和设备的高端光电子和微电子材料。通过系&#;统机制创新跨境技术的集成,构建了基本研究与尖端技术重大共同关键技术、的全创新链,并&#;进行了集成组织的实施。培养,多个创新的创业团队,培养一批、具有国际竞争力的领先企;业,形成自己、独特的工业基地。

  本重点是根据第!三;代半导体材料和半导体照明新型显示的大功率激!光材料和设备的高端光电子&#;和微电子材料。共部署了35项研究任务。特别执行期为5年(2016/2020)。

  2016年,在四项技术方向上启动了27项研究任务。2017年,在四个技术方向启动了、15项研究任务。2018;年,在。四个技术方向启动了五!项;研究任务。建议。安排12/24&#;项目的国家拨款总额为1.77亿元。企业主导的项目和典型的应用示范项目必须为支持资金的总金额和国家拨款的总金额不少于1%。

  项目申报应按;指南;二级标题(如1.1)的研究、方向进行。除特别说明外,所有项目的数目均为1项/2项。该项目的实施周期不超过4年。申报项目的研究内容应涵盖二级标题指南中列出的所有评估指标。原则上,项目、中的项目数目不超过5个,每个项目!的参与单位原则上不超过5个。项目负责人为项目各项目的,项目负责人。

  指南中提出的项目数为1:2,这意味着在同一研究方。向下,当申报。项目评审结果的前两种类似技术路线明显不同时。这两个项目可、以同时支持。这两个项目将&#;分为两个阶段。在第一阶段完成&#;后,将根据评估结果对两个项目的执行,情况进行评估,以确定后续支持模式。

  研究表明,钻石氧化、镓氮化硼等。超宽禁区半导体单晶衬底和延伸材料的生长掺杂缺陷控制和光电性质的、研究。对材料加工和设备的关键工艺进行了研究,并对上述超宽!半导体材!料进行了开发。

  评估指标。钻石半导体单晶衬底和外延材,料直径≥2英寸X射线摆动曲线衍射峰!半高宽≤50arcsec侧根表面粗糙度≤1nm。金刚石p型空穴浓度≥1×1018cm-3n。电子浓度≥1×1016cm-3..非掺杂金刚石室温电子和空。穴迁移。率分别为3000、cm2;/V和2500cm2/V。开发了金刚石原型电子设备&#;和深紫外线光电设备,氧化镓单晶材料直径≥3英寸,错误密度为104厘米。开发氧化镓金属-氧化物半导体场效应晶体管(Mosfe。t)装置,击穿、电压≥1000V导电阻≤2mmcm2。制备优质氮化硼外延膜,研制波长≤2&#;30nm,的氮化硼深紫外光电探测装置开关比例为≥5≤103。申请15项专利发表20篇论文。

  研究表明,基于量子点结构的单光子发射装。置是可控的。;研究了氮化物;半导体跃迁量子阱结构的延伸生长和紫外线红外双色探测装置,研、究了氮化物!半导体太赫兹的发射和探测装置。研究氮化物半导体自旋,转和自旋场效应晶体管。

  评价指标:基于,氮化物半导体量子结构的光泵PU紫外线或蓝光波段、室温单;光子源的二级相关性为0.3。氮化镓(GaN;)基3/5μm红外&#;探测设备工作温度≥77K,实现紫外线红外双色探测设备的单片集成。实现0.。3THZ室温≥工作的GaNKeitanHz发射和检!测设备的输出功率为≥8。氮化物半导体自旋场效应晶体管原型装置自旋注入效率为≥8%。申&#;请15项专利发表20篇论文。

  研究表明,激光照明采;用了第三代半导体激光器,研。究了适合激光高功率密度的荧光材料,开发了激光照明光学系统和应用产品。研究了基于单芯片技术的全光谱白光照明材料和设备,对非晶、体衬底石墨烯等插入层中高;质量、氮化物半导体的外延生长进行了研究和开发。对基于新型有机无机钙钛矿材料的高效LED进行了;研究.

  评价指标:激光暖白光照,明(3000K)至冷白光(6000K)范围内的色温可调颜,色指数为85。!开发车辆激光照!明等应用产品,单芯片全光谱白光设备效率为≥100lm/W,颜色指数为90。基于新型非晶体衬底的氮化镓LED芯片、量子效率为≥40%,钙钛矿&#;LED亮度为≥105cd/m~2外量子效率≥20%..申请20项专利发表15篇论文。

  研究内容:设计三基色激光显示整机生产示!范线的过程,对工艺设备&#;进行检测。示范线包括:整机关键工艺设备的设计和开发、高&#;效&#;激光驱动系统的自动检测技术和&#;平台、;激光显示点等干扰检测技术和设备的,开发。视频信号保真响应自动化测试、系统和平台。

  评价指标:三基;色激光显示机生产示范线的生&#;产能力达到100000台/年生产合格率≥90%。其中100英寸高清三基色激光电视色域≥160%NTSC成、本5万元激光工程投影仪最!高光通量>;105LM..

  研究!表。明,三基色液晶材料和设;备生产示范线的设计是为了进行批量生产技术;的研究。示范线包括:材料制备结构设计和延伸生长芯片设备和设备包装在线检测和老化筛眩通过对LD关键工艺技术的引入、连接、匹配、优化和扩展,对生产,示范线进行!了研究。在批量生产条件下,LD产品的一致性、稳定性和&#;重复性可控制备技术提高了产品的产;量,降低了产品的生产成本。

  评价指标:用于激光显示的三!基色LD材料和。设备生产示范&#;线。450nm波段蓝光520nm波段绿光和640nm波段红光半导体激光产能示范达到5000万年规模..!生;产合格率:蓝光LD≥50%绿光LD≥30%红光LD≥70%..生产成本降低。到。每瓦25元以下的蓝光LD,绿色LD低于每瓦12、0元,红色LD低于每瓦28元。

  本研究的内容是对高精度铁轨障碍物激光测量的新方法进行研究。对轨道障碍物激光监测报警系统在轨道检测领域的应用进行了示范研究。对障碍和疑似。障碍进行了智能分析!和、判断,包括落!石分支!动物行人列车,探索了对行车安全构成威胁的障;碍!判断算法。开发可以满足各种气象条件,实现长期值班,自动发现线路障碍,可以为过去的列车提供预警信息。

  ;评价指标:激光监测系统工作环境温度:-45°C~65°C;系统工作最大&#;相对;湿度≥&#;80、%;角度分辨率0.1°..距离&#;定位精度优于±10cm准测率≥9%轨道最大监控距离≥100mm×50mm目标..虚警率3%..漏报率=。0申请发明专利5项..

  研究表、明,超短脉冲激光和半导体芯片材料的作用机制是研制用于硅碳化硅蓝宝石等材料的激光隐形切割系统。对高速自动聚焦和动态关键补偿技&#;术!进行了!研究,并对智、能厚度跟踪和切割技术进行了研究。对超短脉冲激光动态光束成形技术和。多焦点点聚焦点点点点光斑光学设计系统进行了研究,。实现了超短脉冲激光在半导体芯片中的应用示范研究。

  评价;指标:开发激光隐形切割系统,实现硅SiC蓝宝石等材料的无形切割精度,优于3μm切片速度≥500m。m/s。;动态直线度为±0.5。。MM动态平面度可,在光轴方向形成2个!以上的可变焦点,可变焦点能量和能量分布可。调!。申请5项以上的专利。

  研究表明,对基于特殊激光光源的肿瘤、和血管疾病的目标光动力&#;进行了诊断和治疗。对肿瘤和血管疾病目标光动力综合治疗的临床应用进行了研究。提供了减少激光消融牙硬组织热,损&#;伤的技术方法。

  评价指标:肿瘤目标激光&#;波长400nm波段和;630nm波段光斑(Φ100mm≤)能量密度不均匀±≤5%。早期肿瘤有。效率为90%,晚期肿瘤有效率为60%,眼科和皮肤科血管靶向激光波长为,510nm,输出功率为10W。光斑(Φ00mm)能量密度不均匀性≤±5%,治疗有效率为≥98%,牙科治疗的&#;峰值功率为≥300kW。脉宽≤150ns重频≥5!0Hz激光消融,牙的热损伤范围为40μm。申请10项!专利。

  研究;表明,在熔凝过程中对金属粉末材料的物理化学过程进行了研究,并对高性能钢激光熔化过程中的综合力学性能进化!机制进行了研究。对大功率光纤耦合半导体激光表面强化在风电轴承、领域的应用进行了研究。

  评价指标。:开发大、功率激光表面强化应用设备直径≥3m的超大型风电主轴承&#;激光淬火变&#;形≤0.3mm。淬火宽度为≥100m!m,主轴承应用示范为5×8mW,单;道激光熔覆厚度为≥3mm,稀释率为≤5%。热影响区深度≤0.5mm!基体变形≤1mm/100mm。申请超过1!0项专利。

  本文对短脉冲激光与涂层材料的相互作用进行&#;了研&#;究。对移,动高峰功率准连续激光清洗,设备进行了研究,并对极速pk10飞机蒙皮涂层的!逐层清洗进行了研究。

  评价指标:开发大功率激光清洗应用设备,距离20m抛光机蒙&#;皮;单层清洗速度≥5m2!/h&#;基材表面保护性氧化无损。单层清洗厚度为1、00.!.M..清洗后单位面积表面残余物≤5%,基材瞬时、温度80°C..申&#;请10项专利。

  研究内容:研究高密度新型存储器材结构单元与。阵列制造!的关键技术。包括存储单元和互补金属氧化物半导体(cmos)电路的匹配、!互连性和集成芯片周边电路的设计、包装和测试。研究了不同!存储装置的尺;寸效应、微缩&#;性能、三维存储阵列的整体过程,&#;研究了新型存储装置材料和装置的热稳定性和可靠性。优化了控制方法和电!路结构,开发了高密度存储芯片,验证了其存储性能。

  评价指标:实现与CMOS技术兼容的高密度&#;存储技术;;解决、高密度存储电路的共同关键技术,建立外围电路模块的共同设计技术。突破存储器可靠性测试技术,建立存储故障!模型,&#;获得&#;信息存储、与处理相结合的解决方案,存储单位面积为6.4×10≤3M2。擦拭;速度小、于50ns,读取速度小于25ns,保持功。能>;1。00h@150oC。三维堆叠层的数量为≥8,存储芯片的密度为1.5GB/cm2。申请10项专利发表2、0篇论文。

  研究表明,对新型磁性隧道结构材料及其设备。结构进行了优化,研究了磁性随机存&#;储器在多物理场合作下的低功耗。研究了电流驱动磁随机存储单元和。阵列制造的一套关键技&#;术。研究了与主流12英!寸CMOS晶片技术兼容的磁性隧道结的纳米图形和蚀刻设备。实现了与12英寸磁电子技术相匹配的CMOS芯片控制电路设计,,&#;开发了高密度磁存储芯片。

  评价指标:开发2/3实用高密度磁。随机贮存材料和贮存设备。开发高速低能耗随、机存储,器(基于自旋转矩,效应或自旋转矩效应)芯&#;片。芯片中磁性隧道结(阵列)存储单元室温隧道穿磁电阻比值为150%。,读取时间为30ns,电压为1V。!可重复擦拭次数>;1015室温数据保存时间>;10年..申请1&#;5项专利,发表30篇论文。

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